[1]王涛,王志华.SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究[J].西安科技大学学报,2006,(02):224-226.[doi:10.13800/j.cnki.xakjdxxb.2006.02.020]
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SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究()
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西安科技大学学报[ISSN:1672-9315/CN:61-1434/N]

卷:
期数:
2006年02期
页码:
224-226
栏目:
出版日期:
2006-06-29

文章信息/Info

Title:
Preparation technique of SiC/Al composite
作者:
王涛;王志华
西安科技大学材料科学与工程系 西安科技大学材料科学与工程系 陕西西安710054
关键词:
SiC/Al复合材料 无压浸渗 制备工艺
分类号:
TB333
DOI:
10.13800/j.cnki.xakjdxxb.2006.02.020
摘要:
对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC/Al复合材料的浸渗过程进行了分析.结果表明:温度在900~1100℃之间变化时,随着温度的升高浸渗深度增加;充分的浸渗时间可提高界面的润湿性,促使铝合金液顺利浸渗;Mg量为10%时浸渗能顺利进行;N2作为保护气氛,不但可以防止氧化,而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗.
更新日期/Last Update: 2006-06-29